3D SiPは,顧客の要求に応じて,異なる3Dスタッキングアーキテクチャをカスタマイズすることができます.

3D SiP は、顧客の要件に応じて差別化された 3D スタッキング アーキテクチャをカスタマイズできます

1. 技術的特徴:

- 超高 3D ヘテロジニアス統合密度。垂直スタッキング アーキテクチャを採用した 3D SiP は、TSV (スルー シリコン ビア)、ハイブリッド ボンディング、PoP スタッキングなどの高度なプロセスを活用して、従来の 2D 平面パッケージングの空間制限を打ち破ります。ロジックチップ、メモリチップ、MEMSセンサー、高周波デバイス、各種受動部品の垂直積層が可能となり、異なる製造プロセスや多様な機能を持つチップのヘテロジニアス集積を実現します。従来のパッケージングと比較して、パッケージング サイズと PCB 設置面積を大幅に削減し、非常にコンパクトなスペース内で完全なシステム レベルの機能を提供し、電子機器の小型化および超小型化の傾向に完全に対応します。

- 優れたパフォーマンス上の利点を備えた高速かつ低損失の相互接続。このテクノロジーは、従来のソリューションにおける長いチップ間配線と PCB トレースを短い垂直相互接続に置き換えることで、信号伝送パスを大幅に短縮し、信号遅延、クロストーク、伝送損失を効果的に低減します。高密度の微細配線およびインターポーザー相互接続構造と組み合わせることで、チップ間の超高帯域幅のデータ交換をサポートし、システムのコンピューティングとデータ処理の効率を大幅に向上させます。高周波および高速コンピューティングのシナリオにおいて、従来のパッケージング ソリューションよりも顕著に優れた安定性を実現し、AI コンピューティング能力や高速通信などの高性能要求に十分に応えます。

- 高い信頼性と強力な環境適応性。 3D SiP は、コンパクトな内部構造と堅牢な保護を特徴とする統合ハーメチック パッケージをサポートしており、交互の高温と低温、湿度、振動、塩水噴霧などの複雑な動作条件による干渉に効果的に耐えることができます。さらに、最適化された積層構造と熱管理設計により、マルチチップ統合によって引き起こされる熱放散の課題が軽減され、チップの動作温度上昇が低減され、コンポーネントの故障率が低減されます。長い耐用年数と安定した動作により、高度な産業機器、航空宇宙、低空飛行車両などのハイエンドのシナリオにおける厳しい信頼性要件を満たします。

2. 応用分野:

3D SiP は、優れたパフォーマンスの恩恵を受け、家庭用電化製品、通信およびコンピューティング能力、航空宇宙および低空経済、ハイエンド医療および工業用検出、自動車エレクトロニクス、その他の分野で広く応用されています。

3. パーソナライズされたカスタマイズサービス:

カスタムモジュールはオンデマンドで製造でき、顧客の特定の要件に合わせたオーダーメイドの製品を提供できます。