SiP (システム ‐ イン ‐ パッケージ) は2D平面SiP,積み重ねたSiP,2.5DSiPおよび3DSiPを含む

SiP（System-in-Package）には、2D平面SiP、積層ダイSiP、2.5D SiP、3D SiPが含まれます。

SiP（System-in-Package）は、単一のパッケージ内に複数の機能チップとコンポーネントを統合するコアパッケージング技術です。構造次元に応じて、2D平面SiP、ダイ積層SiP、2.5D SiP、3D SiPに分類できます。

1. 技術的特徴：

- 2D平面SiPは、最も基本的な平面レベルのパッケージング構造です。すべてのチップと受動コンポーネントは、垂直積層構造なしで単一のパッケージング基板の表面に平坦に配置され、全体として2次元平面パッケージを形成します。この技術は、高度に成熟した構造、安定した歩留まり、短いパッケージングプロセスサイクル、簡単なコンポーネントレイアウト、および低い手直し難易度を特徴としています。それにもかかわらず、平面スペースの制約により、比較的長いルーティング長、比較的高信号伝送遅延、および中程度の集積密度と小型化能力を持つ有限個の集積チップしかサポートできません。

- ダイ積層SiPは、2D平面SiPをベースに垂直積層次元を導入します。そのコアは、垂直積層、ボンディング、またはフリップチッププロセスを通じて複数のベアダイを積層および組み合わせ、さらに平面コンポーネントレイアウトを行うことで、ハイブリッドな「平面＋単純垂直」構造を作成することです。この技術は、パッケージングスペースの利用率を大幅に向上させ、全体的なパッケージフットプリントを効果的に削減し、予備的な小型化を実現します。垂直チップ相互接続は、部分的な信号経路を短縮し、伝送効率をさらに向上させます。

- 2.5D SiPは、遷移的な多次元パッケージング構造です。その主な特徴は、基板と機能チップの間にシリコンインターポーザーやガラスインターポーザーなどの専用相互接続メディアを追加することです。チップは、平面配置または限定的な積層でインターポーザーの上に搭載されます。マルチチップ相互接続は、チップの完全な垂直貫通積層なしで、インターポーザー上の高精度ルーティングを介して実現されます。

- 3D SiPは、完全な3次元垂直積層アーキテクチャを採用しています。チップレベルの垂直貫通相互接続と多層異種積層を通じて、チップ、インターポーザー、および基板の3次元統合を実現し、同時多層垂直積層と高密度相互接続を可能にします。

2. 応用分野：

一般的な家電製品、基本的な産業機器、コンシューマーエレクトロニクスおよびポータブルデバイス、自動車インテリジェント運転支援、高精度産業検査機器、ハイエンド最先端技術、超高精度電子機器などのシナリオに適用されます。各技術は、異なる産業の階層的な要件に正確に対応します。

3. パーソナライズされたカスタマイズサービス：

クライアントの特定のニーズを満たすオーダーメイドの製品を提供するために、クライアントの要件に応じてオンデマンドでカスタムモジュールを製造できます。